| 激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究 |
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| 引用本文： | 周阳,刘云山,褚立志,王英龙,彭英才,傅广生. 激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究[J]. 稀有金属, 2006, 30(5): 619-622 |
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| 作者姓名： | 周阳 刘云山 褚立志 王英龙 彭英才 傅广生 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002
2. 河北大学电子信息工程学院,河北,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金;河北大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶,通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度,在2×10-4Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜,经900~1200℃热退火实现纳米晶化。扫描电子显微镜图像显示,铒掺杂影响着薄膜的表面形貌,与不掺铒情况相比,可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜,并且晶化温度更低。对于一个固定掺铒浓度的样品,随着退火温度的增加,薄膜由晶粒结构转化为迷津结构。
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| 关 键 词： | 掺铒纳米硅晶薄膜 退火温度 表面形貌 |
| 文章编号： | 0258-7076（2006）05-0619-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-28 |
| 修稿时间： | 2005-09-282005-11-08 |
Morphology of Er-Doped Nanocrystalline Silicon Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation |
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| Zhou Yang,Liu Yunshan,Chu Lizhi,Wang Yinglong,Peng Yingcai,Fu Guangsheng. Morphology of Er-Doped Nanocrystalline Silicon Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2006, 30(5): 619-622 |
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| Authors: | Zhou Yang Liu Yunshan Chu Lizhi Wang Yinglong Peng Yingcai Fu Guangsheng |
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| Keywords: | Er-doped nonocrystalline Si film annealing temperature morphology |
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