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| 熔体浸渍技术制备SiCp/AlN复合材料 | |
| 引用本文： | 张忻,李亚伟,金胜利,李楠,张久兴. 熔体浸渍技术制备SiCp/AlN复合材料[J]. 硅酸盐学报, 2003, 31(7): 641-644 |
| 作者姓名： | 张忻 李亚伟 金胜利 李楠 张久兴 |
| 作者单位： | 1. 武汉科技大学,高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室,武汉,430081;北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 2. 武汉科技大学,高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室,武汉,430081 3. 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 |
| 基金项目： | 武汉市晨光计划 ( 985 0 0 30 65 )，湖北省自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用熔体浸渍技术，研究了在高纯氮气氛下Al—Mg—Si合金反应浸渍碳化硅预形体制备SiCp／AlN复合材料．借助XRD，SEM／EDS，EMPA等测试手段检测了产物的物相组成，观察了材料的微观形貌，并对复合材料微区成分进行了分析。结果表明：1200℃下，在氮气气氛中用Al—Mg—Si合金反应浸渍碳化硅形成了SiCp／AlN复合材料。在氮化温度下，Al—Mg—Si合金中的Mg元素极易蒸发，与气氛中的微量氧发生反应，起到深脱氧作用，而Si元素的存在使Al—Si熔体容易浸渍渗透进入SiC预形体中，同时氮化反应生成AIN，形成了以AIN／Si为三维骨架，SiC呈孤岛状结构的SiCp／AlN复合材料。生长前沿氮化铝以胞状方式生长，胞内由呈放射状生长排列的柱状晶氮化铝构成，柱晶之问有大量的通道间隙，Si元素在胞内呈不均匀分布，胞边缘部分的硅含量明显高于胞中心部分，这与柱状氮化铝的生长机理有关。 |
| 关 键 词： | 铝镁硅 合金 碳化硅／氮化铝复合材料 熔体浸渍技术 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)07-0641-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-22 |
PREPARATION OF SiCp/AlN COMPOSITE MATERIALS BY MELT INFILTRATION PROCESS |
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| ZHANG Xin ,,LI Yawei ,JIN Shengli ,LI Nan ,ZHANG Jiuxing. PREPARATION OF SiCp/AlN COMPOSITE MATERIALS BY MELT INFILTRATION PROCESS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2003, 31(7): 641-644 | |
| Authors: | ZHANG Xin LI Yawei JIN Shengli LI Nan ZHANG Jiuxing |
| Affiliation: | ZHANG Xin 1,2,LI Yawei 1,JIN Shengli 1,LI Nan 1,ZHANG Jiuxing 2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | aluminum-magnesium-silicon alloy silicon carbide/aluminum nitride composite melt infiltration process |
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