| 流延法制备纳米SiO_2压电陶瓷的结构及性能 |
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| 引用本文： | 卓磊,陈文革,张洋,辛菲,赵珊珊.流延法制备纳米SiO_2压电陶瓷的结构及性能[J].压电与声光,2014,36(5):775-778. |
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| 作者姓名： | 卓磊 陈文革 张洋 辛菲 赵珊珊 |
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| 作者单位： | （西安理工大学 材料科学与工程学院，陕西 西安710048） |
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| 基金项目： | 西安市科技计划基金资助项目（CXY1124（1)） |
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| 摘 要： | 采用流延法使用无定型纳米SiO2原料粉制备SiO2压电陶瓷,XRD和SEM结果表明,烧结温度为850℃和950℃时未发生晶化反应,当烧结温度为1 050℃时生成α-方石英,晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大,不同烧结温度下压电常数分别为1.1pC/N,1.2pC/N和1.4pC/N,烧结温度越高介电常数越大,机械品质因数越大,而介电损耗与烧结温度无关。
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| 关 键 词： | 氧化硅 压电陶瓷 纳米粉 流延成型 低温烧结 |
Research on the Structure and Piezoelectric Properties of Silica Piezoelectric Nano ceramic Prepared by Tape Casting Process |
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| ZHUO Lei,CHEN Wenge,ZHANG Yang,XIN Fei and ZHAO Shanshan.Research on the Structure and Piezoelectric Properties of Silica Piezoelectric Nano ceramic Prepared by Tape Casting Process[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(5):775-778. |
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| Authors: | ZHUO Lei CHEN Wenge ZHANG Yang XIN Fei and ZHAO Shanshan |
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