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ST-石英的湿法腐蚀工艺研究
引用本文:林丙涛,唐光庆,周倩,张巧云,翁邦英,班亚娟. ST-石英的湿法腐蚀工艺研究[J]. 压电与声光, 2014, 36(5): 779-781
作者姓名:林丙涛  唐光庆  周倩  张巧云  翁邦英  班亚娟
作者单位:(1.中国电子科技集团公司第26研究所,重庆 400060;;2.中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室,重庆 400050)
摘    要:对影响ST-切向石英表面湿法腐蚀质量的因素进行了试验研究,并对结果进行了详细分析。试验基片材料为双面抛光的ST-切向石英晶体,掩蔽膜材料为Cr/Au双层金属膜,腐蚀液为HF和NH4F的混合溶液;主要研究了基片清洗、腐蚀液成分配比及腐蚀温度等工艺参数对基片表面腐蚀质量的影响,并通过选择最佳的试验参数,以约0.7μm/min的适中腐蚀速率加工出了满足要求的晶体表面。

关 键 词:ST-切石英  湿法腐蚀  掩蔽膜

Study on Wet Etching Process of ST-cut Quartz
LIN Bingtao,TANG Guangqing,ZHOU Qian,ZHANG Qiaoyun,WENG Bangying and BAN Yajuan. Study on Wet Etching Process of ST-cut Quartz[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2014, 36(5): 779-781
Authors:LIN Bingtao  TANG Guangqing  ZHOU Qian  ZHANG Qiaoyun  WENG Bangying  BAN Yajuan
Affiliation:(1.26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, China;;2.Chnese People Liberation Army Military Deputy Station of Chongqing Gas Lompressor Factory, Chongqing 400050, China)
Abstract:
Keywords:ST-cut quartz  wet etching  etch mask
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