等电子掺杂的高质量GaAs和InP外延片

业己证明,在GaAs或InP上生长的应变等电子掺杂缓冲层可以使外延片的位错密度激烈地降到原来数值的1/20以下。由于同种因素,带边的光致发光效率也相应地增强。与未生长应变等电子掺杂缓冲层比较,用深能级瞬态能谱(DLTS)测量实际上未检测到深能级。用这种外延片制备的光电和电子器件与用常规外延片制备的相比较,发现器件性能有很大改善。