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DC磁控溅射制备的TiNx薄膜组分及性能分析
引用本文:李海翼,赖珍荃,朱秀榕,胡敏.DC磁控溅射制备的TiNx薄膜组分及性能分析[J].红外与毫米波学报,2010,29(4):245-247.
作者姓名:李海翼  赖珍荃  朱秀榕  胡敏
作者单位:南昌大学,物理系,江西,南昌,330031
摘    要:利用DC磁控溅射法在p-Si(111)衬底上制备了TiNx薄膜.利用X射线能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性.结果表明,薄膜中N/Ti原子比接近于1;衬底温度对薄膜的择优取向影响显著,240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由(111)向(200)转变的临界点;薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高,先增大后减小;薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低.

关 键 词:氮化钛薄膜  磁控溅射  反射率  电阻率
收稿时间:5/7/2009 12:00:00 AM
修稿时间:2010/1/31 0:00:00

Composition and properties of TiNx thin films prepared by DC magnetron sputtering
LI Hai-Yi,LAI Zhen-Quan,ZHU Xiu-Rong and HU Min.Composition and properties of TiNx thin films prepared by DC magnetron sputtering[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2010,29(4):245-247.
Authors:LI Hai-Yi  LAI Zhen-Quan  ZHU Xiu-Rong and HU Min
Affiliation:Department of Physics, Nanchang University,Department of Physics, Nanchang University
Abstract:
Keywords:TiN thin films  Magnetron sputtering  Reflectance  Resistivity
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