| 硅变容管的发展趋势 |
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| 引用本文： | 翁寿松. 硅变容管的发展趋势[J]. 微电子技术, 2001, 29(3): 18-22 |
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| 作者姓名： | 翁寿松 |
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| 作者单位： | 无锡无线电元件四厂, |
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| 摘 要： | 总结了硅变容管的发展趋势，离子注入化，电容配对中测化，集成化，低压化，超小型化，片状化和应用广泛化。
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| 关 键 词： | 硅变容管 离子注入 电容配对 |
| 文章编号： | 1008-0147(2001)03-18-05 |
| 修稿时间： | 2000-10-25 |
Development Trend of SiVaractor |
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| WENG Shou-song. Development Trend of SiVaractor[J]. Microelectronic Technology, 2001, 29(3): 18-22 |
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| Authors: | WENG Shou-song |
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| Abstract: | Development trend of Si varactor is summarized:ion implantation,to match capacitance during testing,integration,low voltage,super miniaturization,SMD and wide application. |
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| Keywords: | Si Varactor Development Application |
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