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| a—SiTFTLCD象素电压跳变特性研究 | |
| 引用本文： | 张盛东.a—SiTFTLCD象素电压跳变特性研究[J].光电子技术,1993,12(2):34-39. |
| 作者姓名： | 张盛东 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016 |
| 摘 要： | 提出了α-Si TFT 栅源(源端与象素电极相连)电容不仅为栅源电极间交迭所产生的寄生电容 C_(gsp),还应包括源端沟道与栅电极间的本征电容 C_(gsi)。并以缓变沟道近似模型推导了 C_(gsi)的数学表达式。该式计算结果表明:TFT 开态下C_(gsi)为栅介质电容的一半。在此基础上求出了象素跳变电压ΔV_p 的精确计算公式。该公式圆满解释了传统的ΔVp 公式所不能解释的几个实验结果,从而澄清了对ΔVp 产生机理所存在的模糊认识。 |
| 关 键 词： | 象素电压 TFT 非晶研 液晶显示器 |
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