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| 非本征激发红外探测器 | |
| 作者姓名： | 王保平 |
| 摘 要： | 红外探测器是用来探测红外信号的光电转换器件,它的种类繁多,非本征激发红外探测器就是其中一大类.早在50年代,人们就开始了对Ge和Si杂质光电导的研究.鉴于当时的技术条件,人们把研究重点转移到掺杂Ge红外探测器的研究,取得了一系列的成果.最突出的例子就是1962年制作了Ge:Hg,这种掺杂材料具有0.9ey电高能级,容易生产,重复性好,用做8—13μm大气窗口灵敏探测器达10年之久.进入70年代后,随着大规模集成电路的发展,人们又重新开始了掺杂Si探测器的研究.这是因为大规模集成技术使探测器可以和电路元件一体化,同时在Si基片中已经可以获得比较高的杂质浓度,这样就可得到性能优越的掺杂Si红外探测器,目前在这方面的研究已逐步完善.本文简叙与非本征激发红外探测器有关的基本理论,并就掺杂Ge和Si红外探测器的工作特性做些介绍和讨论. |
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