| 重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究 |
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| 引用本文： | 曹孜,石宇,李惠,孙燕,边永智,翟富义.重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究[J].半导体技术,2010,35(12):1178-1182. |
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| 作者姓名： | 曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷.实验表明反应过程中温度控制在25～30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度.实验还发现,对于<100>重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液.而对于<111>重掺样品,未见明显差异.最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因.
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| 关 键 词： | 重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 |
Study on Chromium-Free Etching for Detection of Oxidation Induced Stacking Faults in Heavily Doped CZ Silicon Ingot |
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| Cao Zi,Shi Yu,Li Hui,Sun Yan,Bian Yongzhi,Zhai Fuyi.Study on Chromium-Free Etching for Detection of Oxidation Induced Stacking Faults in Heavily Doped CZ Silicon Ingot[J].Semiconductor Technology,2010,35(12):1178-1182. |
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| Authors: | Cao Zi Shi Yu Li Hui Sun Yan Bian Yongzhi Zhai Fuyi |
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| Affiliation: | Cao Zi,Shi Yu,Li Hui,Sun Yan,Bian Yongzhi,Zhai Fuyi(GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd.,Beijing 100088,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heavily doped silicon ingot chromium-free solutions oxidation induced stacking faults test |
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