| 新型脉冲调制器的设计 |
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| 引用本文： | 杨石玲. 新型脉冲调制器的设计[J]. 火控雷达技术, 2002, 31(1): 47-51 |
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| 作者姓名： | 杨石玲 |
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| 作者单位： | 西安电子工程研究所,西安,710100 |
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| 摘 要： | 垂直导电型MOSFET（VMOSFET）的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器，叙述其特点，工作原理及电路设计，该脉冲调制器可用于W波段中功率磁控管发射机。
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| 关 键 词： | VMOSFET 脉冲调制器 磁控管 设计 雷达发射机 |
| 修稿时间： | 2001-11-23 |
Design of New Pulse Modulator |
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| Yang Shiling. Design of New Pulse Modulator[J]. Fire Control Radar Technology, 2002, 31(1): 47-51 |
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| Authors: | Yang Shiling |
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| Abstract: | Emerge of vertical MOSFET makes a breakthrough in semiconductor power device. This paper introduces a new pulse modulator which uses VMOSFET as high voltage switch, describes its characteristics, operating principle and circuit design. This pulse modulator can be used in W band medium power magnetron transmitter. |
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| Keywords: | VMOSFET pulse modulator magnetron |
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