| 微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 饶瑞,徐重阳,孙国才,曾祥斌.微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管[J].压电与声光,2001,23(4):299-301. |
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| 作者姓名： | 饶瑞 徐重阳 孙国才 曾祥斌 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系 |
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| 摘 要： | 多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温制备（小于600℃）高质量多晶硅薄膜已成为研究热点，文章利用微波加热技术，采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管，研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。
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| 关 键 词： | 微波退火 低温晶化 多晶硅薄膜晶体管 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)04-0299-03 |
| 修稿时间： | 2001年11月28 |
Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor by Microwave Annealing at Low Temperature |
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| RAO Rui ,XU Zhong-yang,SUN Guo-cai,ZENG Xiang-bin.Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor by Microwave Annealing at Low Temperature[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2001,23(4):299-301. |
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| Authors: | RAO Rui XU Zhong-yang SUN Guo-cai ZENG Xiang-bin |
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| Affiliation: | RAO Rui 1,2,XU Zhong-yang1,SUN Guo-cai1,ZENG Xiang-bin1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave annealing crystallization at low temperature polycrystalline silicon thin film transistor |
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