| 高效率大功率连续半导体激光器 |
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| 引用本文： | 杨红伟,黄科,陈宏泰,张世祖,任永学. 高效率大功率连续半导体激光器[J]. 微纳电子技术, 2010, 47(2). DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.002 |
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| 作者姓名： | 杨红伟 黄科 陈宏泰 张世祖 任永学 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。
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| 关 键 词： | 大功率连续半导体激光器 电光转换效率 横向限制 微通道热沉 量子阱 |
High Efficiency and High Power CW Semiconductor Lasers |
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| Yang Hongwei,Huang Ke,Chen Hongtai,Zhang Shizu,Ren Yongxue. High Efficiency and High Power CW Semiconductor Lasers[J]. Micronanoelectronic Technology, 2010, 47(2). DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.002 |
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| Authors: | Yang Hongwei Huang Ke Chen Hongtai Zhang Shizu Ren Yongxue |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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| Abstract: | Based on the working mechanism of high-power semiconductor lasers,the main factors to influence the electro-optic conversion efficiency of lasers are analyzed,including the slope efficiency,threshold current,turn-on voltage,series resistance and operating current.The main way to improve the electro-optic conversion efficiency is discussed.Through optimizing the ma-terial growth process to reduced the turn-on voltage,reforming chip process to improve the current and optical transverse confinement,and designi... |
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| Keywords: | high power CW semiconductor laser electro-optic conversion efficiency transverse confinement micro-channel heat sink quantum well |
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