缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文) |
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作者姓名: | 张化福 李雪 类成新 刘汉法 袁长坤 |
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作者单位: | [1]山东理工大学物理与光电信息技术学院,山东淄博255049 [2]淄博市交通高级技工学校,山东淄博255068 |
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摘 要: | 利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35~208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10^-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10^-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。
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关 键 词: | ZnO∶Zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜 |
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