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| 共振腔发光二极管专利技术综述 | |
| 作者姓名： | 孙丽 |
| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心,苏州,215011 |
| 摘 要： | 本文从共振腔发光二极管的原理和反射镜的设置出发,主要利用S系统中的CNABS、CNTXT、SIPOABS、DWPI等数据库的检索结果为分析样本,从专利文献的视角对共振腔发光二极管技术的发展进行了全面的统计分析,总结了与共振腔发光二极管相关的国外专利的申请趋势、主要申请人分布、IPC分布,并对共振腔发光二极管重点技术的发展路线进行了分析. |
| 关 键 词： | 共振腔发光二极管 RCLED 反射镜 发展路线 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |