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| DCDC—20GHz射频MEMS开关 | |
| 引用本文： | 朱健,林金庭,林立强.DCDC—20GHz射频MEMS开关[J].半导体学报,2001,22(6):706-709. |
| 作者姓名： | 朱健 林金庭 林立强 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所!南京210016 |
| 摘 要： | 描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关 |
| 关 键 词： | 微电子机械系统 射频开关 宽带 |
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