HgCdTe镶嵌阵列现状

1.液相外延材料用液相外延法在CdTe衬底上生长成器件品级的HgCdTe,其截止波长范围为3～14微米。这一工艺是前两年研究的。目前,液相外延层与块晶体材料相比,前者的截止波长一致性较高。在中波红外外延层上,生成态载流子浓度通常适用于制造二极管,而长波红外外延层则很易调节成适用的浓度。在混合式器件所需要的厚度范围内,生成态外延层的厚度可控制为变化不超过1微米。目前外延层的尺寸仅受到所能获得的大单晶衬底的限制。