| 一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法 |
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| 引用本文： | 牛国富 汤庭鳌. 一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法[J]. 固体电子学研究与进展, 1993, 13(1): 9-13 |
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| 作者姓名： | 牛国富 汤庭鳌 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，复旦大学电子工程系，University of Colorado，Colorado Springs Co 80933-7150，USA 上海 200433，上海 200433 |
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| 摘 要： | 采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
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| 关 键 词： | 亚阈值电流 弱反型 MOS场效应管 |
An Analytic Method of the Subthreshold Current Based on the Charge Model |
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| Niu Guofu,Tang Tingao. An Analytic Method of the Subthreshold Current Based on the Charge Model[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1993, 13(1): 9-13 |
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| Authors: | Niu Guofu Tang Tingao |
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| Abstract: | The charge model is adopted to discuss strictly the subthreshold cur-rent and subthreshold gate-voltage swing of a MOSFET without using the effective channel thickness approximation. The analytic results are in good agreement with the experimental data. |
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| Keywords: | Subthreshold Current Weak Inversion MOS Field Effect Transistor |
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