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| 纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性 | |
| 引用本文： | 范智勇,陈国荣,等.纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性[J].真空科学与技术,2002,22(12):5-7. |
| 作者姓名： | 范智勇 陈国荣 |
| 作者单位： | 复旦大学材料科学系，上海200433 |
| 摘 要： | 研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的跃迁可以重复进行，其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外，研究了Ag(TCNQ）电存储特性，包括写入，读出和擦除特性，结果表明Ag(TCNQ）可以作为超高密度的随机存储器的材料。 |
| 关 键 词： | Ag（TCNQ）薄膜 电特性 有机金属电双稳材料 STM 微分负阻 超高密度随机存储器 RAM 纳米材料 |
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