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脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究
引用本文:王萌萌,黄美东,潘玉鹏,李云珂.脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究[J].真空,2015(1):34-38.
作者姓名:王萌萌  黄美东  潘玉鹏  李云珂
作者单位:天津师范大学物理与材料科学学院
摘    要:采用多弧离子镀在高速钢基底上沉积Ti Al N薄膜。利用扫描电镜(SEM)观测薄膜的表面形貌;用EDS分析薄膜表面的成分;用表面轮廓仪测试薄膜的厚度并结合沉积时间计算出沉积速率;用维氏硬度仪测量薄膜的硬度;用XRD表征薄膜的微观结构。结果表明,随着偏压峰值的增大,表面大颗粒逐渐减少,致密性逐渐变好,薄膜硬度也随之增加。沉积参数对薄膜成分有影响,偏压峰值对薄膜中Al含量有较明显的影响,而占空比则主要影响Ti含量。本文对实验结果进行了较详细的讨论和分析。

关 键 词:多弧离子镀  Ti  Al  N薄膜  脉冲偏压  占空比
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