|
|||||
|
|
| 沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响 | |
| 引用本文： | 苗一鸣,邓金祥,段苹,陈仁刚,杨倩倩,高红丽.沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响[J].真空,2015(1):27-30. |
| 作者姓名： | 苗一鸣 邓金祥 段苹 陈仁刚 杨倩倩 高红丽 |
| 作者单位： | 北京工业大学应用数理学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60876006;60376007);北京市教育委员会科技计划重点项目资助(批准号:KZ201410005008) |
| 摘 要： | 在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射法 宽禁带半导体 Zn S |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |