| SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价 |
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| 引用本文： | 王德君,李剑,朱巧智,秦福文,宋世巍.SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价[J].固体电子学研究与进展,2009,29(2). |
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| 作者姓名： | 王德君 李剑 朱巧智 秦福文 宋世巍 |
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| 作者单位： | 1. 大连理工大学电子与信息工程学院,大连,116024
2. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家科技部重大基础研究前期研究专项，辽宁省自然科学基金，教育部新世纪优秀人才支持计划，教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。
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| 关 键 词： | 二氧化硅/碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮等离子体 界面态密度 |
Nitrogen Plasma Modification and Evaluation of SiC MOS Interface |
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| WANG Dejun,LI Jian,ZHU Qiaozhi,QIN Fuwen,SONG Shiwei.Nitrogen Plasma Modification and Evaluation of SiC MOS Interface[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2009,29(2). |
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| Authors: | WANG Dejun LI Jian ZHU Qiaozhi QIN Fuwen SONG Shiwei |
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| Abstract: | Interface traps passivation at the SiO2/4H-SiC(0001)interface utilizing nitrogen plasma has been evaluated by current-voltage and capacitance-voltage measurements.The breakdown field strength of 9.96 MV/cm,barrier height of 2.7 eV,and density of interface traps of 2.27×1012cm-2eV-1 near the Fermi level were obtained,which indicated that nitrogen plasma process could dramatically reduce the density of interface traps at the SiO2/SiC interface and improve the properties of SiC-based metal-oxide-semiconductor capacitors. |
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| Keywords: | SiO2/SiC interface MOS capacitor nitrogen plasmas treatment density of Interface trap |
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