| 微型封装P波段低噪声场效应管放大器 |
| |
| 引用本文： | 周全,高长征. 微型封装P波段低噪声场效应管放大器[J]. 微纳电子技术, 2001, 38(4): 42-44 |
| |
| 作者姓名： | 周全 高长征 |
| |
| 作者单位： | 电子十三所,河北,石家庄,050051 |
| |
| 摘 要： | 介绍了 0 .5～ 1 .0 GHz微波微封装低噪声场效应管放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 Serenade软件进行了 CAD设计。主要指标为 :工作频率 0 .5～ 1 .0 GHz,增益≥ 2 5 d B,增益平坦度≤± 0 .5 d B,驻波比≤ 2 .0∶ 1 ,噪声系数≤ 1 .0 d B,封装形式 TO- 8F。
|
| 关 键 词： | 低噪声 场效应管 放大器 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)04-0042-03 |
| 修稿时间： | 2001-05-21 |
Mini-packed P-band low noise FET amplifier |
| |
| ZHOU Quan,GAO Chang-zheng. Mini-packed P-band low noise FET amplifier[J]. Micronanoelectronic Technology, 2001, 38(4): 42-44 |
| |
| Authors: | ZHOU Quan GAO Chang-zheng |
| |
| Abstract: | A 0.5～1.0GHz microwave mini-packed P-band low noise FET amplifier is described in this paper.Based on negative feedback principle,it can provide more than 25dB gain,±0.5dB flatness,less than 1.0dB noise figure and less than 2.0∶1 VSWR over the 0.5～1.0GHz bandwith.It was packed in TO-8F. |
| |
| Keywords: | low noise FET amplifier |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
