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| 多晶硅中碳化物及其来源的研究 | |
| 引用本文： | 万群,李玉珍,徐宝琨,赵慕愚.多晶硅中碳化物及其来源的研究[J].半导体学报,1984,5(4):360-367. |
| 作者姓名： | 万群 李玉珍 徐宝琨 赵慕愚 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究总院 (万群，李玉珍)，吉林大学 (徐宝琨)，吉林大学(赵慕愚) |
| 摘 要： | 本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径. |
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