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双π型RF EMIF的一种薄膜集成制造方法
引用本文:张海鹏,秦会斌,徐振宇,梁海珊.双π型RF EMIF的一种薄膜集成制造方法[J].半导体技术,2004,29(2):31-34.
作者姓名:张海鹏  秦会斌  徐振宇  梁海珊
作者单位:杭州电子工业学院电子信息学院CAE研究所,浙江,杭州,310037;杭州电子工业学院电子信息学院CAE研究所,浙江,杭州,310037;杭州电子工业学院电子信息学院CAE研究所,浙江,杭州,310037;杭州电子工业学院电子信息学院CAE研究所,浙江,杭州,310037
摘    要:基于双兀型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构,借鉴了集成电路超微细加工技术,提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的双兀型EMIF电路的薄膜集成制造方法.该方法可用于制作满足未来电子系统的高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理EMIF电路的应用需求,改善双兀型EMIF电路的信号处理性能,还可将其与VLSI一起片上集成.

关 键 词:超大规模集成电路  超微细加工技术  电磁干扰滤波器  薄膜集成制造方法
文章编号:1003-353(2004)02-0031-04
修稿时间:2003年3月12日
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