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| SIMOX埋层的电离辐照及退火研究 | |
| 作者姓名： | 严荣良 竺士炀 |
| 摘 要： | 将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。 |
| 关 键 词： | CMOS／SIMOX埋层 电离辐照 退火 SOI技术 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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