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| 用提拉法生长锗酸铋单晶 | |
| 作者姓名： | W·Piekarczyk M·Swirkowicz S.Gazda 杨万华 |
| 作者单位： | 华沙晶体研究中心，华沙晶体研究中心，华沙晶体研究中心 |
| 摘 要： | 确定了用提拉法生长高质量Bi_(12)GcO_(20)单晶所必需的条件.如果生长条件不是最佳的,则晶体中出现出状包裹物.用X射线显微探针分析,断定云状区域不是铂,但比率Bi_2O_3:GeO_2是3:2,而在高质量区域相当于6:1.测定了光学透过率及线膨胀系数对温度的依赖关系. |
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