| GaN1-xPx三元合金的红外谱 |
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| 引用本文： | 陈敦军,沈波,许福军,陶亚奇,赵红,张荣,郑有火斗.GaN1-xPx三元合金的红外谱[J].半导体学报,2005,26(13):5-8. |
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| 作者姓名： | 陈敦军 沈波 许福军 陶亚奇 赵红 张荣 郑有火斗 |
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| 作者单位： | 南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室，南京 210093 |
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| 摘 要： | 对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合. 分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化. 一个是来自等电子陷阱的影响，它将减少三元合金中载流子的浓度；另一个来自缺陷的影响，它将增加三元合金中载流子的浓度. 对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算，其结果显示，随着合金中P组分比的增加，纵向光学声子-等离激元（LPP）耦合模式向高频方向移动，同时LPP模式线宽逐渐增宽，说明随着合金中P组分比的增加，LPP模式的耦合作用增加，阻尼增强.
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| 关 键 词： | GaN1-xPx三元合金 红外反射 纵向光学声子-等离激元 晶格振动 |
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