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| 多晶硅电学特性研究之Ⅴ:多晶硅熔丝的电编程性质 | |
| 作者姓名： | 杨朝苏 鹿玉龙 |
| 摘 要： | 研究了冗余技术电编程电路中的多晶硅电阻熔丝的电编程特性!分析了多晶硅熔丝的编程机理和电流一电压特性。发现电阻率在0.60～1.10×10~(-3Ω·cm范围的多晶硅熔丝熔断时存在一个临界电流密度,它与熔丝的几何尺寸和室温电阻率无关,是一个约为32mA/μm~2的常数;临界电场是随熔丝室温电阻率增加的,平均熔断功率密度也与熔丝自身的电阻率相关。认为掺杂剂提供的载流子对熔丝的熔化起着重要的作用。 |
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