| 铜在SiH4／H2混合气氛中获得的渗硅层的抗氧化性能 |
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| 引用本文： | 沈复初,毛志远.铜在SiH4／H2混合气氛中获得的渗硅层的抗氧化性能[J].金属热处理,1997(7):3-5,22. |
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| 作者姓名： | 沈复初 毛志远 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系 |
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| 摘 要： | 研究了用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面获得的渗硅层的抗氧化性，结果表明，纯铜表面渗硅层的形成提高了材料的抗高温氧化性能。本文对渗硅层的氧化机理进行了探讨。
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| 关 键 词： | 气体渗硅 抗氧化性 纯铜 渗层 |
Anti oxidation Property of Siliconized Layer for Copper Formed in SiH 4/H 2 Atmosphere |
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| Shen Fuchu,Mao Zhiyuan,Li Jian,Ye Biguang.Anti oxidation Property of Siliconized Layer for Copper Formed in SiH 4/H 2 Atmosphere[J].Heat Treatment of Metals,1997(7):3-5,22. |
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| Authors: | Shen Fuchu Mao Zhiyuan Li Jian Ye Biguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vapor siliconizing anti oxidation property |
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