PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件的工艺设计具有普遍意义。