| 氧化钒薄膜的制备技术及特性研究 |
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| 引用本文： | 魏雄邦,吴志明,王涛,许庆宪,李建峰,蒋亚东.氧化钒薄膜的制备技术及特性研究[J].材料导报,2007,21(F05):328-330,335. |
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| 作者姓名： | 魏雄邦 吴志明 王涛 许庆宪 李建峰 蒋亚东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划资助（NCET-04-0896）致谢：感谢中科院成都分院分析中心的辛川老师在XPS分析方面给予的帮助;感谢四川大学分析中心的田云飞、刘岁林老师在AFM分析方面给予的帮助. |
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| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射法，通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜，利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数，用X射线光电子能谱（XPS）仪和原子力显微镜（AFM）对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明，利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。
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| 关 键 词： | 氧化钒薄膜 磁控溅射 溅射电压 |
Study on Preparation Technique and Characteristics of Vanadium Oxide Thin Films |
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| WEI Xiongbang, WU Zhiming, WANG Tao, XU Qingxian, LI Jianfeng, JIANG Yadong.Study on Preparation Technique and Characteristics of Vanadium Oxide Thin Films[J].Materials Review,2007,21(F05):328-330,335. |
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| Authors: | WEI Xiongbang WU Zhiming WANG Tao XU Qingxian LI Jianfeng JIANG Yadong |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium oxide thin films magnetron sputtering sputtering voltage |
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