| 长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究 |
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| 引用本文： | 谢珩,东海杰,张懿. 长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究[J]. 激光与红外, 2017, 47(1): 58-61 |
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| 作者姓名： | 谢珩 东海杰 张懿 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 长波5000元长线列碲镉汞焦平面器件由5个长波1000元混成芯片在拼接基板上交错排列组成。本文采用拼接互连设备的正贴方法进行单模块与拼接基板的拼接,试验结果表明:该拼接方法的拼接位置精度在X和Y轴方向均小于8 μm,在Z轴方向小于15 μm,满足需求。
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| 关 键 词： | 长波 长线列 碲镉汞 红外焦平面 拼接工艺 |
Research on butting technology of long-wave infrared linear HgCdTe FPA |
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| XIE Heng,DONG Hai-jie,ZHANG Yi. Research on butting technology of long-wave infrared linear HgCdTe FPA[J]. Laser & Infrared, 2017, 47(1): 58-61 |
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| Authors: | XIE Heng DONG Hai-jie ZHANG Yi |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | long wave long linear array HgCdTe infrared FPA butting technology |
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