制造高压器件的容差阶梯台面腐蚀技术 |
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引用本文: | 姚凤兵,孔德平.制造高压器件的容差阶梯台面腐蚀技术[J].半导体技术,1992(6):33-37. |
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作者姓名: | 姚凤兵 孔德平 |
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作者单位: | [1]国营东光电器厂,湖北荆门434501 [2]东南大学 |
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摘 要: | 本文介绍一种新型的高压器件表面造型技术,即容差阶梯台面腐蚀技术。它是在耦.耗尽刻蚀的基础上发展起来的。它利用耗尽刻蚀克服电场集中和表面效应的机理,采用常规工艺,通过两次基区扩散、两次台面腐蚀形成阶梯结构和阶梯台面,降低耗尽刻蚀对腐蚀深度的控制要求,使器件具有小角度负斜角的优良特性,同时采用内台面结构,便于玻璃钝化,使器件具有高性能和高可靠性。
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关 键 词: | 高压器件 容差阶梯台面 腐蚀技术 |
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