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| 256KbCMOS模拟SRAM | |
| 引用本文： | 张元安.256KbCMOS模拟SRAM[J].电子技术,1987(10). |
| 作者姓名： | 张元安 |
| 摘 要： | 日本东芝公司最近研制成功存取时间为25ns的256Kb模拟SRAM.这种型号为TC51832P-85的产品系列包括由一个晶体管和一个电容器组成的存储单元(与DRAM相同)和CMOS结构的外部电路(32K×8位).字线采用聚硅和聚铝的双层结构.字线的 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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