| 凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 陈堂胜,王晓亮,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓. 凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 398-401 |
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| 作者姓名： | 陈堂胜 王晓亮 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 |
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| 作者单位： | 陈堂胜（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016）;王晓亮（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;焦刚（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016）;钟世昌（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016）;任春江（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016）;陈辰（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016）;李拂晓（南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016） |
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| 摘 要： | 研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 槽栅 调制 板结构 AlGaN HEMTs Plate 功率附加效率 功率增益 饱和输出功率 工作电压 栅宽 功率特性 微波功率 击穿电压 电流崩塌 器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0398-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Field-Modulating Plate |
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| Chen Tangsheng,Wang Xiaoliang,Jiao Gang,Zhong Shichang,Ren Chunjiang,Chen Chen,Li Fuxiao. Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Field-Modulating Plate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 398-401 |
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| Authors: | Chen Tangsheng Wang Xiaoliang Jiao Gang Zhong Shichang Ren Chunjiang Chen Chen Li Fuxiao |
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