| 用第一原理研究钛/硅对铝晶界电子结构的影响 |
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| 引用本文： | 邓胜华,李平,李红. 用第一原理研究钛/硅对铝晶界电子结构的影响[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 邓胜华 李平 李红 |
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| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学物理学院,北京,100191
2. 安徽建筑工业学院数理系,合肥,230022 |
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| 摘 要： | 在局域密度泛函理论的基础上,采用第一性原理的平面波赝势方法,计算了纯铝晶界及掺杂钛和硅后的弛豫原子结构,分析和研究了钛、硅杂质偏析对铝晶界的影响.结果表明:杂质钛的偏析使晶界略有膨胀,晶界处的电子密度明显增加,硅的偏析使晶界收缩,晶界处电荷密度明显增加.但两种掺杂元素的偏析均形成了较强的具有共价-金属混合性质的化学键,局域的强化学键会抑制或削弱材料的位错形成和延展特性,从而按照"bond mobility model"机制阻止了应力作用下的原子重组.
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| 关 键 词： | Al晶界 掺杂 第一原理 |
First-principles Study of Effects of Impurities Ti/Si on Al Grain Boundary |
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| DENG Sheng-hua,LI Ping,LI Hong. First-principles Study of Effects of Impurities Ti/Si on Al Grain Boundary[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2009, 28(Z1) |
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| Authors: | DENG Sheng-hua LI Ping LI Hong |
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