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| 三漏CMOS磁敏器件 | |
| 引用本文： | 汪东旭.三漏CMOS磁敏器件[J].传感技术学报,1990,3(4). |
| 作者姓名： | 汪东旭 |
| 作者单位： | 上海科技大学分部 |
| 摘 要： | 采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件. |
| 关 键 词： | 三漏CMOS磁敏器件 |
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