| 基于第一性原理计算的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料持续发光机理 |
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| 引用本文： | 杨晓宇,王翔昱,曹雪娟,唐伯明,袁颖.基于第一性原理计算的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料持续发光机理[J].硅酸盐学报,2023(3):775-782. |
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| 作者姓名： | 杨晓宇 王翔昱 曹雪娟 唐伯明 袁颖 |
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| 作者单位： | 1. 重庆交通大学交通运输学院;2. 重庆交通大学土木工程学院;3. 重庆交通大学材料科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51978115)； |
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| 摘 要： | 长余辉材料应用广泛，但种类繁多、发光机理难以被普遍阐释。针对发光–余辉性能好的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+硅酸盐长余辉材料，构建Sr2MgSi2O7基质、Eu掺杂及(Eu,Dy)共掺杂Sr2MgSi2O7的分子模型，进行第一性原理计算。从电子结构角度解译电子跃迁俘获路径，并阐释Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的持续发光机理。结果表明：Eu、Dy离子的掺入使Sr2MgSi2O7由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体；Dy 5d态主要位于Fermi能级与Eu 5d态之间，并与Eu 5d态存在能量重叠，这证实了Dy3+作为电子陷阱的合理性。S...
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| 关 键 词： | 硅酸镁锶长余辉材料 第一性原理计算 发光机理 电子跃迁俘获 |
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