面向6G应用的超低介电常数定向通孔Al2O3陶瓷 |
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引用本文: | 陈雨谷,郭蔚嘉,马志宇,卢雨田,岳振星.面向6G应用的超低介电常数定向通孔Al2O3陶瓷[J].硅酸盐学报,2023(4):859-865. |
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作者姓名: | 陈雨谷 郭蔚嘉 马志宇 卢雨田 岳振星 |
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作者单位: | 清华大学材料学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 |
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基金项目: | 广东省重点领域研发计划项目(2020B010176001);;国家自然科学基金(51872160);;国家重点研发计划项目(2017YFB0406301); |
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摘 要: | 为了满足6G太赫兹频段低时延通信技术的要求,采用冷冻干燥法制备了具有超低介电常数的定向通孔结构多孔氧化铝陶瓷。研究不同部位样品的结构与性能关系,以及固相含量对微观形貌、力学性能、太赫兹光学和介电性能的影响。获得具有高气孔率(68.9%~81.0%)、高抗压强度(17.6~87.8 MPa)的多孔氧化铝陶瓷,在1 THz下具有超低的折射率(1.38~1.63)、吸收系数(~2.5 cm-1)、介电常数(1.90~2.67)和介电损耗(~0.008)。定向通孔结构在与气孔平行的方向具有高抗压强度,其特殊的结构在太赫兹波导和天线基板等方面有重要的潜在应用价值。
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关 键 词: | 多孔氧化铝陶瓷 定向通孔 太赫兹 光学性能 介电性能 |
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