| Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化 |
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| 引用本文： | 杜康,尹长志,杨佳庆,张猛,吕文中,雷文.Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化[J].硅酸盐学报,2023(4):866-871. |
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| 作者姓名： | 杜康 尹长志 杨佳庆 张猛 吕文中 雷文 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学温州先进制造技术研究院;2. 华中科技大学光学与电子信息学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(52072133)；;广东省重点领域研发计划资助(2020B010176001)； |
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| 摘 要： | 微波介质陶瓷是制造5G通信元件的关键材料，采用传统的固相反应法制备Ba Sn(Si1–xGex)3O9(0≤x≤1.0)微波介质陶瓷，研究Ge4+取代Si4+对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为、晶体结构和微波介电性能的影响。结果表明：BaSnSi3O9陶瓷在最佳的1 450℃烧结温度下表现出多孔的微观结构，并呈现较差的微波介电性能(介电常数εr=6.61，品质因数Q×f=7 977 GHz (谐振频率为15.03 GHz)，τf=?37.8×10–6/℃)。通过Ge4+对Si4+的取代能形成Ba Sn(Si1–xGex)3O9固溶体，其晶体结构为六方结构和P-6c2空间群。采用...
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| 关 键 词： | 陶瓷 烧结行为 晶体结构参数 微波介电性能 |
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