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基于SnS2/InSe异质结的高性能宽带光电探测器(英文)
引用本文:王冰辉,邢艳辉,贺雯馨,关宝璐,韩军,董晟园,李嘉豪,方佩景,韩梓硕,张宝顺,曾中明.基于SnS2/InSe异质结的高性能宽带光电探测器(英文)[J].红外与毫米波学报,2023,42(5):659-665.
作者姓名:王冰辉  邢艳辉  贺雯馨  关宝璐  韩军  董晟园  李嘉豪  方佩景  韩梓硕  张宝顺  曾中明
作者单位:北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,北京工业大学 微电子学院 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124,中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台,中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米加工平台
基金项目:This work is supported by the National Natural Science Foundation of China (61574011, 60908012, 61575008, 61775007, 61731019, 61874145, 62074011, 62134008), the Beijing Natural Science Foundation (4182015, 4172011, 4202010) and Beijing Nova Program (Z201100006820096) and International Student related expenses-Department of Information(040000513303).
摘    要:我们报道了一种基于SnS2/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS2作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm下具有813 A/W的响应度。并且,在965nm光照下它仍然具有371 A/W的高响应度,1.3×105%的外量子效率,3.17×1012 Jones的比探测率,以及27 ms的响应时间。该研究为高响应宽带光电探测器提供了一种新的方法。

关 键 词:二维材料  异质结  宽带光电探测器
收稿时间:2023/3/3 0:00:00
修稿时间:2023/8/9 0:00:00

High Performance and Broadband photodetectors Based on SnS2/InSe Heterojunction
WANG Bing-Hui,XING Yan-Hui,HE Wen-Xin,GUAN Bao-Lu,HAN Jun,DONG Sheng-Yuan,LI Jia-Hao,FANG Pei-Jing,HAN Zi-Shuo,ZHANG Bao-Shun and ZENG Zhong-Ming.High Performance and Broadband photodetectors Based on SnS2/InSe Heterojunction[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(5):659-665.
Authors:WANG Bing-Hui  XING Yan-Hui  HE Wen-Xin  GUAN Bao-Lu  HAN Jun  DONG Sheng-Yuan  LI Jia-Hao  FANG Pei-Jing  HAN Zi-Shuo  ZHANG Bao-Shun and ZENG Zhong-Ming
Abstract:
Keywords:two-dimensional material  heterojunction  Broadband photodetectors
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