| 用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 史慧玲,马骁宇,胡理科,崇峰. 用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜[J]. 半导体学报, 2008, 29(1): 12-16 |
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| 作者姓名： | 史慧玲 马骁宇 胡理科 崇峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家研究中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100～400℃低温范围内,在GaAs(001)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),室温PL,AFM,SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性.XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向,(002)峰的FWHM平均值为0.3°.当生长温度达到400℃时从SEM测量结果可以观察到薄膜表面呈六角状结晶.随着生长温度的升高,薄膜的晶粒尺寸变大,结晶质量得到提高但同时表面变粗糙.室温PL测量显示薄膜在370nm附近有强的近带边发射,没有观测到深能级发射峰.
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| 关 键 词： | MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温 |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0012-05 |
| 收稿时间： | 2007-07-10 |
| 修稿时间： | 2007-09-10 |
Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition |
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| Shi Huiling,Ma Xiaoyu,Hu Like and Chong Feng. Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(1): 12-16 |
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| Authors: | Shi Huiling Ma Xiaoyu Hu Like Chong Feng |
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| Affiliation: | National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Optoelectronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-organic chemical vapor deposition ZnO film GaAs low-temperature |
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