| 横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析 |
| |
| 引用本文： | 张国海,高勇.横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析[J].半导体技术,1998,23(6):27-30,45. |
| |
| 作者姓名： | 张国海 高勇 |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系 |
| |
| 摘 要： | 给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
|
| 关 键 词： | LDMOS LIGBT 阳极短路结构 功率集成电路 |
Analysis of the Characteristics of the High Voltage Lateral Devices LDMOS and LIGBT |
| |
| Zhang Guohai,Gao Yong,Zhou Baoxia.Analysis of the Characteristics of the High Voltage Lateral Devices LDMOS and LIGBT[J].Semiconductor Technology,1998,23(6):27-30,45. |
| |
| Authors: | Zhang Guohai Gao Yong Zhou Baoxia |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LDMOS LIGBT Shorted anode structure |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
