| 室温Si-玻璃直接键合技术研究 |
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| 引用本文： | 黄腾超,沈亦兵,侯西云,娄迪,白剑.室温Si-玻璃直接键合技术研究[J].光电子．激光,2004,15(5):512-515. |
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| 作者姓名： | 黄腾超 沈亦兵 侯西云 娄迪 白剑 |
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| 作者单位： | 浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学微系统研究与开发中心,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60077009)，国家教育部博士点基金资助项目(2000033515) |
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| 摘 要： | 将表面亲水性处理过的玻璃和Si片在室温、大气的环境下干燥，进行温度为150C以下、时间为20～200h的预键合。预键合后，Si和玻璃基片表面能有显著的提高，水分子和Si表面Si-OH原子团中的O原子连在一起，OH团数量增加了许多，形成较多的H键。预键合的Si-玻璃基片在200C下退火．消除由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力。2基片的Si-OH间发生聚合反应．产生水及si-O键，使得基片键合的表面能得到了更好的提高、测量了室温键合时间对Si玻璃表面能力的影响以及退火时间对键合强度的影响。实验结果证明．这项技术对Si-玻璃器件的键合十分有效。
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| 关 键 词： | 室温 Si-玻璃直接键合(SGDB) 退火时间 诱导应力 |
| 文章编号： | 1005-0086(2004)05-0512-04 |
Research on Silicon-Glass Direct Bonding at Room Temperature |
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| HUANG Teng-chao.Research on Silicon-Glass Direct Bonding at Room Temperature[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(5):512-515. |
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| Authors: | HUANG Teng-chao |
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| Affiliation: | HUANG Teng-chao~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ambient temperature silicon-grass direct bonding(SGDB) annealing time induced stress |
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