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HFCVD金刚石薄膜在Mo基体表面的形核
引用本文:王婷,余志明,游小龙,丰杰. HFCVD金刚石薄膜在Mo基体表面的形核[J]. 材料科学与工程学报, 2008, 26(4)
作者姓名:王婷  余志明  游小龙  丰杰
作者单位:中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083
摘    要:采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Mo基体上沉积金刚石薄膜,使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜样品进行分析检测,研究了表面形核密度随碳源浓度的变化.结果表明:随着碳源浓度增加表面形核密度增大,当碳源浓度达到3%时,表面形核密度质量最佳,当浓度进一步增大时,形核密度下降;随着碳源浓度增加,生长加快,当生长过快时影响形核过程,形核密度下降.

关 键 词:HFCVD  形核密度  金刚石薄膜  Mo基体

Diamond Film Nucleation on the Mo substrates by HFCVD
WANG Ting,YU Zhi-ming,YOU Xiao-long,FENG Jie. Diamond Film Nucleation on the Mo substrates by HFCVD[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2008, 26(4)
Authors:WANG Ting  YU Zhi-ming  YOU Xiao-long  FENG Jie
Abstract:
Keywords:HFCVD
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