| 直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的热稳定性研究 |
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| 引用本文： | 左安友,袁作彬,杨建平,李兴鳌. 直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的热稳定性研究[J]. 材料导报, 2007, 21(12): 141-144 |
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| 作者姓名： | 左安友 袁作彬 杨建平 李兴鳌 |
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| 作者单位： | 湖北民族学院理学院,恩施,445000;湖北民族学院理学院,恩施,445000;湖北民族学院理学院,恩施,445000;湖北民族学院理学院,恩施,445000 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅重点项目（2003A001,D200529002）资助 |
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| 摘 要： | 用直流磁控溅射方法，在氮气分压为0．5Pa、不同的基底温度下，于玻璃基底上制备了Cu3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时，温度越高薄膜的结晶程度越好。当基底温度在100℃以上时，随着基底温度的升高，薄膜的结晶程度逐渐减弱，200℃时结晶已很弱，300℃时已完全不能形成Cu3N晶体。薄膜的电阻率随基底温度的变化不大，薄膜的沉积速率随基底温度的升高在18～30nm／min之间近似地线性增大，薄膜的显微硬度随基底温度的升高而略有降低。对基底温度为室温和100℃下制备的氮化铜薄膜进行不同温度下的真空退火，研究了它们的热稳定性。XRD测试表明，薄膜在200℃时开始出现分解，350℃时完全分解。比较在基底温度为室温和100℃下制备的样品，发现室温下制备的氮化铜薄膜比100℃下制备的氮化铜薄膜稳定。
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| 关 键 词： | 氮化铜薄膜 直流磁控溅射 X射线衍射 热稳定性 |
Study on Thermal Stability of Copper Nitride Films Prepared by Reactive DC Magnetron Sputtering |
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| ZUO Anyou,YUAN Zuobin,YANG Jianping,LI Xing'ao. Study on Thermal Stability of Copper Nitride Films Prepared by Reactive DC Magnetron Sputtering[J]. Materials Review, 2007, 21(12): 141-144 |
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| Authors: | ZUO Anyou YUAN Zuobin YANG Jianping LI Xing'ao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu3N thin film DC magnetron sputtering X-ray diffraction thermal stability |
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