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点源γ光子穿越特定形状屏蔽层的Monte Carlo计算与模拟
作者姓名:郭生良  葛良全  程锋
作者单位:成都理工大学核技术与自动化工程学院,成都,610059;成都理工大学核技术与自动化工程学院,成都,610059;成都理工大学核技术与自动化工程学院,成都,610059
摘    要:采用Monte Carlo方法对点源γ光子穿越球壳形屏蔽层的问题进行了蒙特卡罗计算与模拟,并用VC 编写了软件对光子运行过程进行模拟,通过对模拟结果7能谱的分析,显示模拟结果能较好的反映实际光子的运动过程.利用所编软件对不同材料不同厚度的介质进行模拟,可得出厚度为4cm的铅做介质对光子的屏蔽效果较好.

关 键 词:蒙特卡罗模拟  点源  γ能谱
文章编号:0258-0934(2007)04-0748-04
修稿时间:2006-12-04
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