首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

量子阱结构中的等效宽度分析
引用本文:周小平,周剑英,杨爱龄,李锡华,江晓清,王明华.量子阱结构中的等效宽度分析[J].半导体学报,2002,23(7):725-730.
作者姓名:周小平  周剑英  杨爱龄  李锡华  江晓清  王明华
作者单位:浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027
基金项目:国家自然科学基金;69877017;
摘    要:在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好.分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性.

关 键 词:量子阱  等效宽度  结合能  GaAs/GaAlAs
文章编号:0253-4177(2002)07-0725-06
修稿时间:2001年10月27日

Effective Well Width Analysis in Quantum Well Struct ures
Zhou Xiaoping,Zhou Jianying,Yang Ailing,Li Xihua,Jiang Xiaoqing and Wang Minghua.Effective Well Width Analysis in Quantum Well Struct ures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(7):725-730.
Authors:Zhou Xiaoping  Zhou Jianying  Yang Ailing  Li Xihua  Jiang Xiaoqing and Wang Minghua
Abstract:Under the effective mass approximation,some empirical formulas are obtained numerically concerning the correlations between the quantum well widths of finite potential barrier structure and those of infinite potential barrier structure under the circumstance that the ground state energies of two different models are equal in electric field,which match well with the results given by others.Then the wave functions and binding energies of excitons are analyzed,verifying the rationality to replace the effective width in electric field with that in zero field.
Keywords:quantum well  effective width  binding energy  GaAs/GaAlAs
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号