| GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟 |
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| 引用本文： | 何为,郝智彪,罗毅.GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟[J].半导体学报,2005,26(4):707-710. |
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| 作者姓名： | 何为 郝智彪 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 北京100084
(何为，郝智彪)，清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 北京100084(罗毅) |
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| 摘 要： | 采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究．用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形，考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响．结果表明，合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化，对量子点的定位生长有积极的影响．
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| 关 键 词： | 动力学蒙特卡罗模拟 量子点 外延生长 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0707-04 |
| 修稿时间： | 2004年4月26日 |
Kinetic Monte Carlo Simulation of InAs Quantum Dots Growth Pause on GaAs Patterned Substrate |
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| He Wei,HAO Zhibiao,Luo Yi.Kinetic Monte Carlo Simulation of InAs Quantum Dots Growth Pause on GaAs Patterned Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4):707-710. |
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| Authors: | He Wei HAO Zhibiao Luo Yi |
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| Abstract: | The self-organized growth of InAs quantum dots on patterned GaAs substrate,especially the influence of growth pause on the characteristics of quantum dots is studied with Kinetic Monte Carlo method.The patterned substrate is described by the distribution of surface energy.The simulation results show that an appropriate pause time tends to make the quantum dots more uniform and regular,hence facilitating site-control of quantum dots. |
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| Keywords: | Kinetic Monte Carlo simulation quantum dots epitaxial growth |
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